-
Llamanos +86-755-2543 2352
-
Envíanos un correo electrónico info@urbanmines.com
-
Ven a visitarnos No. 11, Bld. C, Hengmingzhu Tech. Industrial Park, Shajing Subdistrict, Bao'an District, Shenzhen, Guangdong, China
Llamanos +86-755-2543 2352
Envíanos un correo electrónico info@urbanmines.com
Ven a visitarnos No. 11, Bld. C, Hengmingzhu Tech. Industrial Park, Shajing Subdistrict, Bao'an District, Shenzhen, Guangdong, China
El trimetilgalio, a menudo abreviado como TMG o TMGa, es un compuesto de organogalio con la fórmula química Ga(CH₃)₃. Este compuesto es un líquido pirofórico incoloro que presenta una estructura monomérica, a diferencia del trimetilaluminio.
El trimetilgalio sirve como una fuente metalorgánica de galio ampliamente utilizada en la epitaxia en fase de vapor metalorgánica (MOVPE), un proceso crítico para la síntesis de semiconductores compuestos que contienen galio empleados en la fabricación de dispositivos optoelectrónicos y paneles solares.
Trimetilgalio
| Sinónimos | Trimetilgalano, trimetanidogalio, galio, trimetilo-EINECS 215-897-6 |
| N.º de CAS. | 1445-79-0 |
| Fórmula química | Ga(CH3)3 |
| Masa molar | 114,827 g/mol |
| Apariencia | Líquido incoloro |
| Punto de fusión | −15 ℃ (5 ℉; 258 K) |
| Punto de ebullición | 55,7 ℃ (132,3 ℉; 328,8 K) |
| Solubilidad en agua | Reacciona con el agua |
Trimetilgalio (TMG) Es un líquido pirofórico transparente e incoloro que se inflama espontáneamente al exponerse al aire. Se sabe que el TMG reacciona violentamente con el agua y otros compuestos capaces de donar hidrógeno lábil o activo (es decir, protones).
El TMG debe manipularse con sumo cuidado y precaución. Debe almacenarse en un ambiente fresco y seco, a temperaturas de 0 a 25 °C en atmósfera inerte. La temperatura de almacenamiento no debe superar los 40 °C para evitar su deterioro.
Especificación empresarial de trimetilgalio al 99,99995 % con bajo contenido de silicio (6N5 TMGa-Low Si)
| Elemento | Resultado | Especificación | Elemento | Resultado | Especificación | Elemento | Resultado | Especificación |
| Ag | ND | <0.03 | Co | ND | <0.02 | Pb | ND | <0.03 |
| Al | ND | <0.03 | Cr | ND | <0.02 | S | ND | <0.05 |
| As | ND | <0.03 | Cu | ND | <0.02 | Sb | ND | <0.05 |
| Au | ND | <0.02 | Fe | ND | <0.04 | Si | ND | <0.02 |
| B | ND | <0.03 | Ge | ND | <0.05 | Sn | ND | <0.05 |
| Ba | ND | <0.02 | Hg | ND | <0.03 | Sr | ND | <0.03 |
| Be | ND | <0.02 | La | ND | <0.02 | Ti | ND | <0.05 |
| Bi | ND | <0.03 | Mg | ND | <0.02 | V | ND | <0.03 |
| Ca | ND | <0.03 | Mn | ND | <0.03 | Zn | ND | <0.03 |
| Cd | ND | <0.02 | Ni | ND | <0.03 |
Nota:
Valor sobre todo ppm en peso sobre el metal, y ND=no detectado
Método de análisis: ICP-MS
Resultados de FT-NMR (el LOD para impurezas orgánicas y oxigenadas de FT-NMR es 0,1 ppm)
Garantía de oxígeno <0,5 ppm (medido en FT-NMR)
1.No se detectaron impurezas orgánicas
2. No se detectaron impurezas oxigenadas
¿Para qué se utiliza el trimetilgalio?
El trimetilgalio (Ga(CH₃)₃), también abreviado como TMG o TMGa, es la fuente metalorgánica preferida de galio para el proceso de epitaxia metalorgánica en fase de vapor (MOVPE) en la síntesis de semiconductores compuestos que contienen galio, incluyendo, entre otros, GaAs, GaN, GaP, GaSb, InGaAs, InGaN, AlGaInP, InGaP, AlInGaNP y Ga₂O₃. Estas fuentes metalorgánicas se utilizan para la preparación de diversos semiconductores compuestos que contienen galio, como:
- Arsenuro de galio (GaAs), ampliamente empleado en aplicaciones espaciales y como material para diodos emisores de luz azul (LED) basados en nitruro de galio (GaN).
- Fosfuro de galio (GaP) y antimonuro de galio (GaSb), que desempeñan un papel fundamental en la fabricación de dispositivos optoelectrónicos.
Sulfuro de cobre, indio y galio (CIGS) y seleniuro de cobre, indio y galio, utilizados en la fabricación de paneles solares de alta eficiencia.
Además, TMG se emplea en la preparación de películas delgadas de materiales semiconductores a base de galio, como películas delgadas de GaAs, GaN y GaP, que son componentes integrales en microelectrónica y aplicaciones de dispositivos de alta velocidad.
ETIQUETAS :
Derechos de autor @ 2010-2026 UrbanMines Tech. Co., Ltd. Reservados todos los derechos .
IPv6 RED SOPORTADA
