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6N Trimethylaluminum (TMAI)

99,9999 % trimetilalumano (TMAI) 75-24-1

El trimetilaluminio (TMAI) es una materia prima fundamental para la producción de otras fuentes metalorgánicas utilizadas en procesos de deposición de capa atómica (ALD) y deposición química de vapor (CVD).

El trimetilaluminio es uno de los compuestos organoaluminosos más simples. Aunque su nombre sugiere una estructura monomérica, su fórmula es Al₂(CH₃)₆ (abreviado como Al₂Me₆ o TMAI), y existe como dímero. Este líquido incoloro es pirofórico y desempeña un papel industrial importante, estrechamente relacionado con el trietilaluminio.

UrbanMines se encuentra entre los principales proveedores de trimetilaluminio (TMAI) en China. Gracias a nuestras avanzadas técnicas de producción, ofrecemos TMAI con diferentes niveles de pureza, diseñado específicamente para aplicaciones en las industrias de semiconductores, células solares y LED.


Trimetilalumano (TMAI)

SinónimosTrimetilaluminio, trimetilaluminio, trimetanuro de aluminio, TMA, TMAL, AlMe3, catalizador Ziegler-Natta, trimetil-, trimetilalano.
Número CAS75-24-1
Fórmula químicaC6H18Al2
Masa molar144,17 g/mol, 72,09 g/mol (C3H9Alabama)
AparienciaLíquido incoloro
Densidad0,752 g/cm33
Punto de fusión15 °C (59 °F; 288 K)
Punto de ebullición125--130 ℃ (257--266 ℉, 398--403 K)
Solubilidad en aguaReacciona
Presión de vapor1,2 kPa (20 ℃), 9,24 kPa (60 ℃)
Viscosidad1,12 cP (20 ℃), 0,9 cP (30 ℃)

Trimetilaluminio (TMAl)El TMAl, como fuente metalorgánica (MO), se utiliza ampliamente en la industria de semiconductores y sirve como precursor clave para la deposición de capas atómicas (ALD), la deposición química en fase de vapor (CVD) y la deposición química en fase de vapor metalorgánica (MOCVD). Se emplea para preparar películas de aluminio de alta pureza, como óxido de aluminio y nitruro de aluminio. Además, el TMAl se utiliza ampliamente como catalizador y agente auxiliar en reacciones de síntesis orgánica y polimerización.

El trimetilaluminio (TMAI) actúa como precursor para la deposición de óxido de aluminio y funciona como catalizador Ziegler-Natta. También es el precursor de aluminio más utilizado en la producción de epitaxia metalorgánica en fase de vapor (MOVPE). Además, el TMAI actúa como agente de metilación y se libera frecuentemente desde cohetes de sondeo como trazador para el estudio de los patrones de viento en la atmósfera superior.

Especificación empresarial de trimetilaluminio al 99,9999 % - Bajo contenido de silicio y oxígeno (6N TAMI - Bajo contenido de silicio y oxígeno)

ElementoResultadoEspecificaciónElementoResultadoEspecificaciónElementoResultadoEspecificación
AgND<0.03CrND<0.02SND<0.05
AsND<0.03CuND<0.02SbND<0.05
AuND<0.02FeND<0.04SiND≤0,003
BND<0.03GeND<0.05SnND<0.05
BaND<0.02HgND<0.03SrND<0.03
BeND<0.02LaND<0.02TiND<0.05
BiND<0.03MgND<0.02VND<0.03
CaND<0.03MnND<0.03ZnND<0.05
CdND<0.02NiND<0.03
CoND<0.02PbND<0.03

Nota:

Sobre todo valor PPM en peso sobre metal, y ND=no detectado

Método de análisis: ICP-OES/ICP-MS

Resultados de FT-NMR (el LOD para impurezas orgánicas y oxigenadas de FT-NMR es de 0,1 ppm):

Garantía de oxígeno <0,2 ppm (medido en FT-NMR)

1. No se detectaron impurezas orgánicas

2. No se detectaron impurezas oxigenadas

¿Para qué se utiliza el trimetilaluminio (TMAI)?

Aplicaciones de catálisis:

Desde la invención de la catálisis Ziegler-Natta, los compuestos de organoaluminio han desempeñado un papel fundamental en la producción de poliolefinas, como el polietileno y el polipropileno. El metilaluminoxano (MAO), derivado del trimetilaluminio (TMA), actúa como activador de numerosos catalizadores de metales de transición en los procesos de polimerización.

Aplicaciones de semiconductores:

El trimetilaluminio (TMA) se utiliza ampliamente en la fabricación de semiconductores para depositar películas delgadas de dieléctricos de alta k, como el óxido de aluminio (Al₂O₃), mediante deposición química en fase de vapor (CVD) o deposición atómica en capas (ALD). En la industria de semiconductores, el TMA de alta pureza funciona como precursor del aluminio en los procesos de ALD o CVD para generar películas delgadas de Al₂O₃ como materiales dieléctricos de alta k. Además, el TMA es el precursor preferido para la epitaxia metalorgánica en fase de vapor (MOVPE) de semiconductores compuestos que contienen aluminio, como el arseniuro de aluminio (AlAs), el nitruro de aluminio (AlN), el fosfuro de aluminio (AlP), el antimoniuro de aluminio (AlSb), el arseniuro de aluminio y galio (AlGaAs), el arseniuro de aluminio, indio y galio (AlInGaAs), el fosfuro de aluminio, indio y galio (AlInGaP), el nitruro de aluminio y galio (AlGaN), el nitruro de aluminio, indio y galio (AlInGaN) y el fosfuro de aluminio, indio y galio (AlInGaNP). Los criterios de calidad del TMA se centran en (a) impurezas elementales, (b) impurezas oxigenadas y (c) impurezas orgánicas.

Aplicaciones fotovoltaicas:

En la industria fotovoltaica, el TMA se emplea para formar capas de pasivación de óxido de aluminio (Al₂O₃) mediante deposición química en fase de vapor asistida por plasma (PECVD) o deposición atómica en capas (ALD). De forma similar al procesamiento de semiconductores, el TMA se utiliza para depositar pilas de capas dieléctricas de película delgada de baja k (no absorbentes) que contienen Al₂O₃ mediante procesos de CVD o ALD. El TMA de alta pureza mejora la eficiencia de las células solares de silicio cristalino al crear capas de pasivación de Al₂O₃ eficaces, lo que mejora el rendimiento.

Aplicaciones de LED:

En la fabricación de LED, se utiliza TMA de alta pureza mediante MOVPE o CVD para fabricar semiconductores compuestos que contienen aluminio, como capas epitaxiales de nitruro de aluminio y galio (AlGaN) o capas de pasivación de óxido de aluminio (Al₂O₃) y nitruro de aluminio (AlN). Esto mejora la eficiencia óptica y proporciona un rendimiento de iluminación superior.

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